继上个月与碳化硅（SiC）衬底厂商乾晶半导体签订战略合作协议后，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称中宜创芯）本月在SiC领域再次传出利好消息。
近日，中宜创芯公司实验室成功生长出河南省第一块8英寸SiC单晶晶锭，验证了该公司SiC半导体粉体在长晶方面的优势，标志着河南省SiC半导体技术进入国内主流行列。
平煤神马集团党委书记、董事长李毛现场察看八英寸碳化硅单晶（source：平煤神马）
据介绍，中宜创芯利用国内外先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术组织研发生产，具有单炉产能大、颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，更适合8英寸SiC厚单晶晶锭的生长。
据悉，2023年9月21日，中宜创芯年产2000吨电子级SiC粉体项目启动试生产。2023年国庆期间，经权威机构检测，中宜创芯首炉SiC产品纯度为99.99996%，达到国内优等品标准。10月17日该项目一期试生产结束，第一批设备全部投料完成，标志着河南电子级SiC粉体开始进入批量生产阶段；12月19日宣布达产500吨。项目达产后，预计产能位居全国前列，产品在国内市场占有率在30%以上，全球市场占有率在10%以上。
资料显示，中宜创芯成立于2023年5月，主要开展电子级高纯SiC粉体和SiC衬底的生产和经营业务，是由中国平煤神马控股集团有限公司（以下简称平煤神马）和平顶山发展投资控股集团有限公司共同出资设立的合资公司，二者持股比例分别为70%、30%。
早在2021年，平煤神马集团投资7000万元，启动SiC基半导体材料示范线开发项目，主要研发生产第三代半导体SiC粉体和SiC衬底材料。
2023年初，从平煤神马集团传出消息，该集团生产的SiC高纯粉体和SiC晶锭成功下线，据称，产品质量达到国内一流水平。
文：集邦化合物半导体Zac整理
